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12 月 21 日,三星电子宣布,已成功开发出其首款采用 12 纳米(nm)级工艺技术打造的 16Gb DDR5 DRAM,并与 AMD 一起完成了兼容性方面的产品评估。

图自三星电子

三星表示,这一技术突破是通过使用一种新的高介电(high-k)材料来增加电池电容,以及改进关键电路特性的专利设计技术而实现的。

三星数据显示,结合先进的多层极紫外(EUV)光刻技术,新款 DRAM拥有三星最高的 Die 密度(Die density),可使晶圆生产率提高 20%。基于 DDR5 最新标准,三星 12nm 级 DRAM将解锁高达 7.2 千兆每秒(Gbps)的速度

能效方面,与上一代三星 DRAM 产品相比,12nm 级 DRAM 的功耗降低约 23%

据了解,随着 2023 年新款 DRAM 量产,三星计划将这一基于先进 12nm 级工艺技术的 DRAM 产品扩展到更广泛的市场领域。

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